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• 에피택셜 성장, -成長, epitaxial growth

  기판 결정 축에 따라 동일 결정 구조로 성장시키는 것. 일반적으로 에피택셜 성장이 시작되는 온도는 900/950 ℃ 정도의 고온이고, 온도가 내려가면 다결정막 성장으로 된다. 기판은 대부분 실리콘이고, 절연성의 단결정판도 사용된다. 이 경우 실리콘 격자정수와 기판 물질이 일치하는 결정 방위를 선택해야...